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SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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4+ | 0.87 EUR |
10+ | 0.73 EUR |
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500+ | 0.43 EUR |
1000+ | 0.33 EUR |
3000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A, Case: SC70-6; SOT363, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -4A, On-state resistance: 0.1Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 33nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -25A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 12564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD |
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