SI1416EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
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Technische Details SI1416EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 3.9, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 2.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4, Verlustleistung: 2.8, Bauform - Transistor: SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI1416EDH-T1-BE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI1416EDH-T1-BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S) |
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SI1416EDH-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
auf Bestellung 5496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1416EDH-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.9 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 2.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 Verlustleistung: 2.8 Bauform - Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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