SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
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Technische Details SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1302DL-T1-BE3 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.69 EUR
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SI1302DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET 30V N-CHANNEL TRENCH |
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SI1302DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
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SI1302DL-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1302DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
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