SI1077X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
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Technische Details SI1077X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 1.75, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 330, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330, Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI1077X-T1-GE3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI1077X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-6 |
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SI1077X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.75A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 188mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.75A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 188mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V |
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SI1077X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.75 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI1077X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.75 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R |
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