SI1070X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
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Technische Details SI1070X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI1070X-T1-GE3 nach Preis ab 0.27 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6 |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1070X-T1-GE3 |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R |
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| SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 236mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A Case: SC89; SOT563 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 236mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A Case: SC89; SOT563 |
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