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Technische Details SI1036X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: TrenchFET Series, Bauform - Transistor: SC-89, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 220mW, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1036X-T1-GE3 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 51125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: TrenchFET Series Bauform - Transistor: SC-89 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm Dauer-Drainstrom Id: 610mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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