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SCT4026DW7TL

SCT4026DW7TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT4026DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
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Technische Details SCT4026DW7TL Rohm Semiconductor

Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V, Power Dissipation (Max): 150W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL Hersteller : ROHM Semiconductor sct4026dw7_e-3043565.pdf SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
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SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL Hersteller : ROHM ROHM-S-A0015638869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL Hersteller : ROHM ROHM-S-A0015638869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
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MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4026DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
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