SCT3120AW7TL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 21A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
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Technische Details SCT3120AW7TL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3120AW7TL nach Preis ab 12.07 EUR bis 17.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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SCT3120AW7TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V |
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SCT3120AW7TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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SCT3120AW7TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V |
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