SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 207.26 EUR |
30+ | 184.86 EUR |
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Technische Details SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT3022KLHRC11 nach Preis ab 181.58 EUR bis 208.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Mounting: THT On-state resistance: 28.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 427W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 237A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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SCT3022KLHRC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Mounting: THT On-state resistance: 28.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 427W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 237A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A |
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