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SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote SCS215AEGC11 nach Preis ab 4.42 EUR bis 12.04 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SCS215AEGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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SCS215AEGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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SCS215AEGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
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SCS215AEGC11 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage |
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