SBCP56-10T1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SBCP56-10T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SBCP56-10T1G nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V |
auf Bestellung 1556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SBCP56-10T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
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