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SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor

Name: SBC846BPDW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 3989739-5
Price: 0.1 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R

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Technische Details SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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585+	0.12 EUR
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775+	0.093 EUR
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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R

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297+	0.51 EUR
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543+	0.25 EUR
795+	0.16 EUR
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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR

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10+	0.52 EUR
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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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24+	0.76 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200
Übergangsfrequenz, NPN: 100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100
Übergangsfrequenz, PNP: 100
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200
euEccn: NLR
Verlustleistung, NPN: 380
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R

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SBC846BPDW1T1G

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Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R

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SBC846BPDW1T1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

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