S80KS5123GABHI023 Infineon Technologies
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Technische Details S80KS5123GABHI023 Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 24-VBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: SPI - Octal I/O, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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S80KS5123GABHI023 | Hersteller : Infineon Technologies | 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
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S80KS5123GABHI023 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: SPI - Octal I/O Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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S80KS5123GABHI023 | Hersteller : Infineon Technologies | DRAM HyperRAM |
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