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S80KS5122GABHB023 Infineon Technologies


s80ks5122.pdf Hersteller: Infineon Technologies
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns Automotive AEC-Q100 T/R
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Technische Details S80KS5122GABHB023 Infineon Technologies

Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 24-VBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: HyperBus, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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S80KS5122GABHB023 Hersteller : Infineon Technologies s80ks5122.pdf PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns Automotive T/R
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S80KS5122GABHB023 S80KS5122GABHB023 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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S80KS5122GABHB023 S80KS5122GABHB023 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_S80KS5122_1_8_V_512_Mbit_HyperBus_Interfa-3003300.pdf DRAM HyperRAM
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