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S29GL256P11FFI010

S29GL256P11FFI010 Infineon Technologies


download.pdf Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S29GL256P11FFI010 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 110ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 110 ns, Memory Organization: 32M x 8, DigiKey Programmable: Verified.

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S29GL256P11FFI010 S29GL256P11FFI010 Hersteller : Infineon Technologies download.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL256P11FFI010 S29GL256P11FFI010 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_S29GL01GP_S29GL512P_S29GL256P_S29GL128P_1-3363530.pdf NOR Flash 256Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
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S29GL256P11FFI010 S29GL256P11FFI010 Hersteller : Infineon Technologies 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
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S29GL256P11FFI010 S29GL256P11FFI010 Hersteller : Infineon Technologies download.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL256P11FFI010 S29GL256P11FFI010 Hersteller : Cypress Semiconductor download.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL256P11FFI010 Hersteller : Spansion 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Паралельна Flash-пам'ять; Uживл, В = 2.7...3.6; Об'єм RAM = 256 Мбіт; Орг. пам. = 32M x 8; Тдост/Частота = 110 нс; Тексп, °C = -40...+85; Тип інтерф. = Паралельний; LBGA-64
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