S25FL512SAGBHIC10 Infineon Technologies
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Technische Details S25FL512SAGBHIC10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIC10 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 133MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Weitere Produktangebote S25FL512SAGBHIC10 nach Preis ab 10.07 EUR bis 21.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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S25FL512SAGBHIC10 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGAPackaging: Tray Package / Case: 24-TBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 24-BGA (8x6) Part Status: Active Memory Interface: SPI - Quad I/O Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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S25FL512SAGBHIC10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 14.5ns 24-Pin BGA Tray |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S25FL512SAGBHIC10 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIC10 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: -ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S25FL512SAGBHIC10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 14.5ns 24-Pin BGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S25FL512SAGBHIC10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 14.5ns 24-Pin BGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S25FL512SAGBHIC10 | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 14.5ns 24-Pin BGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| S25FL512SAGBHIC10 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
S25FL512SAGBHIC10 Serial FLASH memories - integrated circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |