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S25FL064LABMFV010

S25FL064LABMFV010 Infineon Technologies


Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
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Technische Details S25FL064LABMFV010 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S25FL064LABMFV010 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, SOIC, 8 Pin(s), tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 108MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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S25FL064LABMFV010 S25FL064LABMFV010 Hersteller : Infineon Technologies infineon-s25fl064l_64-mbit_8-mbyte_3-datasheet-v09_00-en.pdf NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 64M-bit 64M/32M/16M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin SOIC Tray
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tariffCode: 85423261
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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S25FL064LABMFV010 Hersteller : Cypress Semiconductor Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Послідовна енергонезалежна Flash-пам'ять; Uживл, В = 2,7...3,6; Об'єм RAM = 64 Мбіт; Орг. пам. = 8М х 8; Тдост/Частота = 108 МГц; Тексп, °C = -40...+105; Тип інтерф. = Послідовний; SOIC-8
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