RX3R10BBHC16 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFET RX3R10BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
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Technische Details RX3R10BBHC16 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0068 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote RX3R10BBHC16 nach Preis ab 8.16 EUR bis 12.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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RX3R10BBHC16 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V |
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RX3R10BBHC16 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0068 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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