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RV5A040APTCR1

RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
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Technische Details RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.044 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RV5A040APTCR1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
RV5A040APTCR1 RV5A040APTCR1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs PCH -12V -4.0A MOSFET
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RV5A040APTCR1 RV5A040APTCR1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
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14+ 1.26 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 13
RV5A040APTCR1 RV5A040APTCR1 Hersteller : ROHM datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.044 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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