RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor
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Technische Details RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm.
Weitere Produktangebote RV2C002UNT2L nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RV2C002UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
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RV2C002UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
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RV2C002UNT2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET |
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.jpg "RV2C002UNT2L") |
RV2C002UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
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RV2C002UNT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
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RV2C002UNT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
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| RV2C002UNT2L | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN1006-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 0.6A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.1W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11.4Ω Drain current: 0.18A Drain-source voltage: 20V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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RV2C002UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
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| RV2C002UNT2L | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN1006-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 0.6A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.1W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11.4Ω Drain current: 0.18A Drain-source voltage: 20V |
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