RUF015N02TL ROHM Semiconductor
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Technische Details RUF015N02TL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RUF015N02TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
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RUF015N02TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RUF015N02TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RUF015N02TL |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RUF015N02TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Case: TUMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 3A On-state resistance: 0.31Ω Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain current: 1.5A Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| RUF015N02TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Case: TUMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 3A On-state resistance: 0.31Ω Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain current: 1.5A |
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