RUC002N05T116 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details RUC002N05T116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RUC002N05T116 nach Preis ab 0.048 EUR bis 0.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RUC002N05T116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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RUC002N05T116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RUC002N05T116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 10108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RUC002N05T116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET |
auf Bestellung 6261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RUC002N05T116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
auf Bestellung 573226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RUC002N05T116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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RUC002N05T116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| RUC002N05T116 |
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RUC002N05T116 Produktcode: 176006 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| RUC002N05T116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 800A; 350mW; SST3 Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SST3 On-state resistance: 7.2Ω Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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| RUC002N05T116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 800A; 350mW; SST3 Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SST3 On-state resistance: 7.2Ω Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
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