RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 492000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.062 EUR |
| 6000+ | 0.056 EUR |
| 9000+ | 0.053 EUR |
| 15000+ | 0.05 EUR |
| 21000+ | 0.048 EUR |
| 30000+ | 0.046 EUR |
| 75000+ | 0.041 EUR |
| 150000+ | 0.038 EUR |
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Technische Details RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RU1J002YNTCL nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RU1J002YNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 51205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1J002YNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 11749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1J002YNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1J002YNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V |
auf Bestellung 492573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1J002YNTCL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 0.9V Drive Nch MOSFET |
auf Bestellung 275179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1J002YNTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1J002YNTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RU1J002YNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RU1J002YNTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RU1J002YNTCL SMD N channel transistors |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RU1J002YNTCL Produktcode: 158853 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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