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RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor
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Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.076 EUR |
6000+ | 0.071 EUR |
9000+ | 0.059 EUR |
30000+ | 0.058 EUR |
75000+ | 0.052 EUR |
150000+ | 0.045 EUR |
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Technische Details RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RU1C002ZPTCL nach Preis ab 0.041 EUR bis 0.46 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 222500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 3054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 226158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V |
auf Bestellung 157233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -200mA Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 0.15W Case: SOT323F Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -200mA Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 0.15W Case: SOT323F Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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