![RTR040N03TL RTR040N03TL](https://www.mouser.com/images/rohmsemiconductor/lrg/SOT_346_3_SC_96_TSMT3_DSL.jpg)
auf Bestellung 5021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 0.87 EUR |
10+ | 0.68 EUR |
3000+ | 0.57 EUR |
9000+ | 0.43 EUR |
24000+ | 0.35 EUR |
45000+ | 0.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RTR040N03TL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RTR040N03TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RTR040N03TL
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
RTR040N03TL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
RTR040N03TL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
RTR040N03TL | Hersteller : ROHM |
![]() |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
![]() |
RTR040N03TL Produktcode: 27259 |
Hersteller : Rohm |
![]() Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 30 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 09.05.475 JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
RTR040N03TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
RTR040N03TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
RTR040N03TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |