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RSJ400N10TL Rohm Semiconductor
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Technische Details RSJ400N10TL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A; 50W; D2PAK, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 50W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 90nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote RSJ400N10TL nach Preis ab 5.21 EUR bis 7.08 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RSJ400N10TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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RSJ400N10TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A; 50W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RSJ400N10TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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RSJ400N10TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A; 50W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A |
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