RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor
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Technische Details RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 45V, Drain current: 7A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 2W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RSH070N05GZETB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RSH070N05GZETB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP |
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RSH070N05GZETB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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