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RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
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Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
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2500+ | 1.81 EUR |
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Technische Details RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V.
Weitere Produktangebote RS6R060BHTB1 nach Preis ab 1.81 EUR bis 5.24 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RS6R060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V |
auf Bestellung 4870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 4128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |