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RS6L120BGTB1

RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6l120bgtb1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
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Technische Details RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V.

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RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
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RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Hersteller : ROHM Semiconductor rs6l120bgtb1_e-2952376.pdf MOSFETs NCH 60V 150A MOSFET
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RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Hersteller : ROHM rs6l120bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Hersteller : ROHM rs6l120bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
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RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
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