RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 2.03 EUR |
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Technische Details RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0042 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RS1G201ATTB1 nach Preis ab 2.08 EUR bis 4.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RS1G201ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS1G201ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS1G201ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS1G201ATTB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -40V -78A, HSOP8, Power MOSFET |
auf Bestellung 9681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS1G201ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V |
auf Bestellung 6541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS1G201ATTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0042 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RS1G201ATTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0042 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS1G201ATTB1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 40W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -40V Drain current: -78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| RS1G201ATTB1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Power dissipation: 40W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -40V Drain current: -78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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