RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs RS1E301GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
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Technische Details RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RS1E301GNTB1 nach Preis ab 3.63 EUR bis 3.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP |
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS1E301GNTB1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Drain current: 80A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 39.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RS1E301GNTB1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Drain current: 80A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 39.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 30V |
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