RRR040P03FRATL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details RRR040P03FRATL ROHM
Description: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RRR040P03FRATL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Verlustleistung: 1 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RRR040P03FRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346 Mounting: SMD Application: automotive industry On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RRR040P03FRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346 Mounting: SMD Application: automotive industry On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Case: SOT346 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A |
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