RQ5E065AJTCL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.
MOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.
auf Bestellung 3027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 1.24 EUR |
10+ | 1.09 EUR |
100+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.53 EUR |
3000+ | 0.48 EUR |
9000+ | 0.43 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RQ5E065AJTCL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RQ5E065AJTCL nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RQ5E065AJTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
RQ5E065AJTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
RQ5E065AJTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
RQ5E065AJTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |