RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RN4985FE,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN4985FE,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER |
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