RN2416,LF Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 0.29 EUR |
| 11+ | 0.27 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.07 EUR |
| 3000+ | 0.044 EUR |
| 9000+ | 0.039 EUR |
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Technische Details RN2416,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RN2416,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
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RN2416,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
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