RN2109,LF(CT Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
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| 10+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.069 EUR |
| 3000+ | 0.051 EUR |
| 9000+ | 0.044 EUR |
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Technische Details RN2109,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Weitere Produktangebote RN2109,LF(CT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RN2109,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RN2109,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
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