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RN2106,LF(CT

RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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Technische Details RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.

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RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Hersteller : Toshiba RN2106_datasheet_en_20210830-1627123.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
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RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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