RN1418,LF Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
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| 9+ | 0.32 EUR |
| 10+ | 0.3 EUR |
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| 500+ | 0.099 EUR |
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Technische Details RN1418,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RN1418,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
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RN1418,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
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