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Technische Details RN1402(TE85L,F) Toshiba
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 10kΩ, Mounting: SMD, Case: SC59, Kind of package: reel; tape, Collector-emitter voltage: 50V, Current gain: 50, Collector current: 0.1A, Type of transistor: NPN, Power dissipation: 0.2W, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ, Frequency: 250MHz, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote RN1402(TE85L,F)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RN1402(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
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RN1402(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 50 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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RN1402(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 50 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz |
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