RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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RN1107,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) |
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RN1107,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K, |
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