RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1000+ | 5.08 EUR |
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| 3000+ | 4.83 EUR |
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Technische Details RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 45ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RMLV0408EGSB-4S2#HA1 nach Preis ab 6.85 EUR bis 6.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Hersteller : Renesas Electronics |
SRAM SRAM 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C |
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