RMLV0408EGSA-4S2#KA1 Renesas Electronics America Inc
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Technische Details RMLV0408EGSA-4S2#KA1 Renesas Electronics America Inc
Description: RENESAS - RMLV0408EGSA-4S2#KA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: STSOP, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: STSOP, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 45ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RMLV0408EGSA-4S2#KA1 nach Preis ab 5.24 EUR bis 7.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RMLV0408EGSA-4S2#KA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: STSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0408EGSA-4S2#KA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: STSOP rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: STSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | Hersteller : Renesas Electronics |
SRAM SRAM 4MB 3V X8 STSOP32 45NS -40TO85C |
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RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | Hersteller : Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I |
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