Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RJ1R10BBHTL1

RJ1R10BBHTL1 ROHM Semiconductor

Name: RJ1R10BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 21862020-4
Price: 5.77 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET NCH 150V 105A

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	10.45 EUR
10+	8.96 EUR
25+	8.13 EUR
100+	7.46 EUR
250+	7.02 EUR
500+	6.81 EUR
800+	5.77 EUR

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details RJ1R10BBHTL1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote RJ1R10BBHTL1

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis ohne MwSt
	RJ1R10BBHTL1	Hersteller : ROHM	Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
	RJ1R10BBHTL1	Hersteller : ROHM	Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)