auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 7.34 EUR |
| 10+ | 6.16 EUR |
| 25+ | 5.81 EUR |
| 100+ | 4.98 EUR |
| 250+ | 4.7 EUR |
| 500+ | 4.38 EUR |
| 800+ | 3.71 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RJ1P07CBHTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote RJ1P07CBHTL1 nach Preis ab 3.34 EUR bis 4.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJ1P07CBHTL1 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
RJ1P07CBHTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| RJ1P07CBHTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
| RJ1P07CBHTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|