RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 72 W
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 72 W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 3.08 EUR |
30+ | 2.44 EUR |
120+ | 2.09 EUR |
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Technische Details RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-3PFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RGTH00TK65GC11 nach Preis ab 7.34 EUR bis 9.98 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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RGTH00TK65GC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor | IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
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RGTH00TK65GC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |