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RGS80NL65HRBTL

RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 288 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RGS80NL65HRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 77 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 288 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS80NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
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RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Hersteller : ROHM rgs80nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 77 A, 1.65 V, 288 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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RGS80NL65HRBTL Hersteller : Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
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RGS80NL65HRBTL Hersteller : Rohm Semiconductor rgs80nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 77A 288W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
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RGS80NL65HRBTL RGS80NL65HRBTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 77A TO263L
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