RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 157 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.
Weitere Produktangebote RGS30TSX2DGC11 nach Preis ab 6.49 EUR bis 12.04 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RGS30TSX2DGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
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RGS30TSX2DGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 157 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 41 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 267 W |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGS30TSX2DGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGS30TSX2DGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGS30TSX2DGC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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