RGPR30NS40HRTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 430V 30A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
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Technische Details RGPR30NS40HRTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RGPR30NS40HRTL nach Preis ab 1.4 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBTs 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 430V 30A IGNITION LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Supplier Device Package: LPDS Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Gate Charge: 22 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 430V 30A IGNITION LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Supplier Device Package: LPDS Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Gate Charge: 22 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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