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RGCL80TS60GC11 Rohm Semiconductor
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Description: IGBT TRNCH FIELD 600V 65A TO247N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns
Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 148 W
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Technische Details RGCL80TS60GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 600V 65A TO247N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns, Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 98 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 148 W.
Weitere Produktangebote RGCL80TS60GC11 nach Preis ab 3.5 EUR bis 7.18 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RGCL80TS60GC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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RGCL80TS60GC11 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 65A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |