RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RGC80TSX8RGC11 nach Preis ab 5.48 EUR bis 15.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RGC80TSX8RGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1800V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
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RGC80TSX8RGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors RGC80TSX8R is the reverse conducting IGBT. The datasheet is coming soon. |
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RGC80TSX8RGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| RGC80TSX8RGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 267W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.8kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 0.12µs Turn-off time: 725ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 267W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 468nC Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RGC80TSX8RGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 468 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 535 W |
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| RGC80TSX8RGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 267W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.8kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 0.12µs Turn-off time: 725ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 267W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 468nC Mounting: THT |
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